Monday, 27 May 2019

আয়নিকরণ শক্তির ব্যাতিক্রম


প্রশ্নঃ Be এর আয়নীকরণ শক্তি  B এর চেয়ে বেশী ব্যাখ্যা কর ।
Be B এর ইলেকট্রন বিন্যাস নিম্নরূপ
Be(4) à 1s2 2s2
B(5)à 1s2 2s2 2p1
পর্যায়ভিত্তিক আয়নিকরণ শক্তি বাম থেকে ডান দিকে বাড়ে ; কিন্তু অধিক স্থিতিশীল ইলেকট্রন বিন্যাসের কারণে ব্যাতিক্রম হয় ।পরমাণুর পূর্ণ ও অর্ধপূর্ণ অরবিটালসমূহ অধিক স্থিতিশীল হয় । B এর ক্ষেত্রে 2p1 ইলেকট্রনটি সরাতে কিছুটা কম শক্তির প্রয়োজন হয় । তখন 2s অরবিটাল যুগলবদ্ধ হয়ে স্থিতিশীল বিন্যাস অর্জিত হয় ।
অপরদিকে, Be এর ইলেকট্রন বিন্যাস অধিকতর স্থিতিশীল এবং এটি থেকে ইলেকট্রন অপসারণ করলে যুগলবদ্ধ 2s ইলেকট্রন বিন্যাস ভাঙতে হয় । তাই Be এর আয়নীকরণ শক্তি  B এর চেয়ে বেশী ।
প্রশ্নঃ N এর আয়নীকরণ শক্তি  O এর চেয়ে বেশী ব্যাখ্যা কর ।
O N এর ইলেকট্রন বিন্যাস নিম্নরূপ
O(8) -> 1s² 2s² 2p⁴.
N(7)-> 1s22s22p3
N পরমাণুর বহিস্তরে তিনটি অরবিটালে তিনটি ইলেকট্রন সুষমভাবে বিন্যস্ত । এ তিন অরবিটালে ইলেকট্রন মেঘের ঘনত্ব যেমন সমান তেমনি ইলেকট্রনের ঘূর্ণনের দিকও একই । ফলে এর কাঠামো সুস্থিত, কিন্তু O এর তা নয় । তাই N পরমাণু থেকে ইলেকট্রন সরানো কঠিন । এ জন্য এর আয়নীকরণ শক্তি উচ্চ এবং Nগ্যাস অনেকটা নিষ্ক্রিয় ।

Tuesday, 21 August 2018


রাসায়নিক বন্ধন গঠনের কারণ কি ? ব্যাখ্যা কর ।

চিত্রের উদাহরণের সাহায্যে রাসায়নিক বন্ধন গঠনের বিষয়টি ব্যাখ্যা কর যাক -
লিথিয়াম পরমাণু যোজ্যতা স্তরের একটি ইলেকট্রন বর্জন করে হিলিয়ামের স্থায়ী দুই-এর (duplet) এবং ফ্লোরিন পরমাণু যোজ্যতা স্তরে একটি ইলেকট্রন গ্রহণ করে নিয়নের যোজ্যতা স্তরের স্থায়ী অষ্টক (octet) বিন্যাস লাভ করবে  অর্থাৎ -
রাসায়নিক বন্ধন গঠনের মূল কারণ হল:-
নিষ্ক্রিয় গ্যাসের ইলেকট্রনিক কাঠামো লাভের প্রবণতা
নিম্নতম স্থিতিশক্তি অর্জনের প্রবণতা